IOP Science：分子束外延生長PbTe納米線

主要內(nèi)容

量子技術(shù)的進(jìn)步來自于發(fā)現(xiàn)提高電子器件性能和功能的新材料系統(tǒng)。碲化鉛（PbTe）是IV–VI材料家族的一員，擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強(qiáng)自旋軌道耦合和超高介電常數(shù)，它可以容納少量電子量子點(diǎn)和彈道量子線，并有機(jī)會(huì)控制電子自旋和其他量子自由度。

在這篇文章中，研究團(tuán)隊(duì)報(bào)道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線。實(shí)現(xiàn)了適用于量子器件的無缺陷單晶PbTe，具有高達(dá)50的縱橫比。此外，通過制造單個(gè)納米線場效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)了雙極傳輸，提取帶隙并觀察電導(dǎo)的Fabry–P′erot振蕩及準(zhǔn)彈道傳輸?shù)奶卣鳌?/span>

其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀 在研究過程中提供測量實(shí)時(shí)溫度

產(chǎn)品推薦

1. kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實(shí)時(shí)測量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時(shí)測量晶片/襯底的溫度。

2. kSA ACE 原位MBE束流監(jiān)測系統(tǒng) 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監(jiān)測設(shè)備，它利用原子吸收光譜的原理來測量對應(yīng)原子種類的通量率。該設(shè)備可實(shí)時(shí)原位檢測原子束流密度、生長速率，實(shí)現(xiàn)對薄膜成分精確控制。

文獻(xiàn)信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers