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目前III-V族化合物襯底費(fèi)用普遍偏高，許多技術(shù)由此受到了其成本的限制。因此，能夠重復(fù)使用原始襯底是一種可行的解決方法，但現(xiàn)有的襯底再利用技術(shù)存在明顯缺陷。在這篇文章中，研究人員討論了一種通過(guò)分子束外延在常用（001）GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層，在連續(xù)的NaCl層上生長(zhǎng)單晶GaAs模板。模板層可以通過(guò)NaCl的溶解而從襯底上快速去除，Lift-off（剝離工藝）后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。
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1. kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度。
文獻(xiàn)信息
